问题标题:
【如图是元素周期表短周期的一部分.其中F原子的电子层数为n,最外层电子数为2n+1,核内质子数为2n2-1.下列说法不正确的是()ABCDEFA.D的单质是常见的半导体材料B.B与E形成的化合】
问题描述:
如图是元素周期表短周期的一部分.其中F原子的电子层数为n,最外层电子数为2n+1,核内质子数为2n2-1.下列说法不正确的是()
A | B | C | |
D | E | F |
A.D的单质是常见的半导体材料
B.B与E形成的化合物不只一种
C.C与F的原子序数之差一定为8
D.C属于卤族元素,对应的单质能与水反应生成两种酸
蔡继光回答:
由短周期元素在周期表中的位置,可知A、B、C处于第二周期,D、E、F处于第三周期,F原子的电子层数为n,故n=3,核内质子数为2n2-1,即其质子数为17,故F为Cl,可推知C为F、B为O、E为S、A为C、D为Si.
A.Si是良好的半导体材料,故A正确;
B.S元素与O元素可以形成二氧化硫、三氧化硫,故B正确;
C.F的原子序数为9,Cl的原子序数为17,二者原子序数形成9,故C正确;
D.氟气与水反应生成HF与氧气,故D错误,
故选D.
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