问题标题：
求大神解两道半导体物理的计算题！第一道是室温下，锗中掺入锑浓度为10的15次方cm﹣³，杂质全电离，且μn=3600cm²／vs，up=1700cm²／vs，已知本征载流子浓度为ni=2.5×10的13次方cm﹣
问题描述：
求大神解两道半导体物理的计算题！
第一道是室温下，锗中掺入锑浓度为10的15次方cm﹣³，杂质全电离，且μn=3600cm²／vs，up=1700cm²／vs，已知本征载流子浓度为ni=2.5×10的13次方cm﹣³，求电子和空穴浓度，求电阻率
第二道为在一个均匀的n型半导体的表面的一点注入少子，在样品上施加一个50v／cm的电场，电场作用力下，这些少数载流子在100μs内移动了1cm，求少数载流子的飘移速率，迁移率，和扩散率（kot=0.026eV）
在线等，求给力
何竹青回答：
锗中掺锑，锑是五族元素，在锗中是施主杂质，锗的禁带宽度小于硅，由此断定室温下杂质全电离，因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n，电子浓度已经知道，就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q，计算电导率，求倒数就是电阻率。
少子的平均漂移速度就是指在电场作用下载流子单位时间移动的距离，这里漂移速度V=1cm/10^(-4)s=10^4cm/s，迁移率μ=V/E，然后根据爱因斯坦关系，扩散系数D=μkT/q，即可求出扩散系数。
其实半导体物理的计算多为套公式，只要熟悉每个名词背后的概念，将各个概念的关系能够联系起来做计算题就没什么问题了。
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